TechInsights发文称，发现了台积电22ULL镶嵌式RRAM（阻电存储器）芯片，低功耗无线物联网贬责决策的斥地者Nordic Semiconductor推出的冲破性nRF54L SoC器件聘请了台积电的22ULL镶嵌式RRAM （eRRAM）。
TechInsights拆解了Fanstel EV- BM 15 EV Kit，找到了Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15器件。自2019年以来，台积电提供了40纳米RRAM平台，当前的22纳米RRAM是台积电的第二代eRRAM。这是业界首个领有起初进的22纳米CMOS时刻的RRAM，可与镶嵌式STT-MRAM相忘形。
eRRAM内存块密度为17.5 bit/ µm2，位线方针的RRAM层宽度为170 纳米。RRAM存储层放手在metal 3上。ReRAM使用电阻四肢开关的基础。与STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新兴存储器件一说念，ReRAM是取代镶嵌式闪存（eFlash）的主要竞争者之一。ReRAM不受放射的影响，具有很高的电磁耐受性，而且莫得清楚问题，因为它不是基于电荷的器件。
ReRAM （RRAM）居品和时刻途径图线路台积电22ULL ReRAM
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